6. Ремонт телефонных аппаратов.

6.1. ПОИСК НЕИСПРАВНОСТЕЙ И ИХ УСТРАНЕНИЕ

Наиболее часто в ТА выходят из строя транзисторы импульсного ключа и микросхема номеронабирателя, что составляет примерно 90% всех неисправностей. Ещё 9% можно отнести аа неисправность электретного микрофона и 1% -на все остальные. Такое соотношение весьма приблизительно, но оно даст Вам представление о характере неисправностей в ТА и поможет избежать таких ошибок, как перепайка транзисторов разговорного узла или замена электролитических конденсаторов.

Если нет схемы телефонного аппарата, который Вы собираетесь ремонтировать, не расстраивайтесь. Практически для ремонта ТА схема не нужна.

Прежде всего, необходимо определить в микросхеме номеронабирателя номер вывода её импульсного ключа (рис. 2.10 + 2.12), а также по таблице 2.8 тип выхода - с открытым стоком или логический. От типа выхода зависит построение схемы ИК телефона. На рис 6.1 приведены три основные разновидности схем импульсного ключа, применяемых в зарубежных ТА. Ключи, приведённые на рис. 6.1,а и 6.1,6, применяются с микросхемой номеронабирателя, у которой выход ИК с открытым стоком. Ключ, приведённый на рис. 6.1,в, применяется с ИС номеронабирателя с логическим выходом её импульсного ключа. Схема ИК, приведённая на рис. 6.1,а, применяется в основном в недорогих ТА с минимальным количеством функций и невысокими потребительскими характеристиками.

Рассмотрим алгоритм поиска неисправностей.

Прежде всего, следует проверить напряжения в контрольных точках схемы (рис. 6.1):

- на входе ИК ТА (КТ1);

- на выходе ИК микросхемы номеронабирателя (КТ2);

- на выводе питания ИС (КТ3).

При снятой трубке напряжение в точке КТ1 должно составлять 5 - 15 В. В точке КТЗ - соответствовать напряжению питания ИС (2,5 - 3,5 В). В точке КТ2 - для ИС с открытым стоком выхода ИК должно быть на 1 - 2 В меньше, чем в точке КТ1, а для ИС с логическим выходом ИК должно быть незначительно меньше, чем в точке КТЗ.

Напряжение на выходе диодного моста (равное напряжению в точке КТ1) должно быть на 1,2 В меньше напряжения на клеммах подключения ТА к линии АТС за счет падения на диодах.

Анализируя результаты измерений, можно дать предварительную оценку характера неисправности.

Напряжение в точке КТ2 близкое к нулю может свидетельствовать о неисправности микросхемы.

Если в точке КТЗ напряжение близко к нулю, можно предположить, что вышла из строя микросхема. Чтобы убедиться в этом, необходимо проверить всю цепь питания ИС (см. раздел 3.3). Только при гарантии исправности цепи питания можно приступать к замене микросхемы.

Напряжение в точке КТ1 менее 5 В может свидетельствовать о пробое диодов моста, что встречается крайне редко.

Рассмотрим различные варианты:

а) Если напряжение в точке КТ1 близко к 60 В, а в точке КТ2 близко к нулю (при номинальном напряжении питания ИС), это может свидетельствовать о том, что транзисторы ИК исправны. В атом случае, скорее всего, пробит выход ИК ИС, который замыкает базу первого транзистора ИК ТА на землю и держит его в закрытом состоянии. Для того чтобы убедиться в этом, отпаяйте выход ИК ИС от схемы ТА. Это можно сделать, сняв припой с вывода ИК ИС монтажным отсосом, или перерезав на плате дорожку от вывода ИК ИС. Если после этого напряжение в точке КТ1 (для схем ИК, приведённых рис. 6.1,а и 6.1,6) будет в норме, смело выпаивайте микросхему. Для схемы ИК, приведённой на рис. 6.1,в, чтобы открыть ключ, необходимо дополнительно соединить точки КТ2 и КТЗ перемычкой.

б) Если в точке КТ1 (рис. 6.1,а) напряжение в норме, а в точке КТ2 на 0,6 - 0,7 В, а не на 1 - 2 В, меньше, чем в точке КТ1, следовательно, пробит один из транзисторов импульсного ключа, а микросхема исправна.

в) Если напряжение в точке КТ1 в норме, а в точке КТ2 близко к нулю, то пробиты как выход ИК ИС, так и один или оба ключевых транзистора.

Чтобы убедиться в правильности работы импульсного ключа, при отключенном выводе ИК ИС к базе первого транзистора (VT1) подпаяйте кнопку SB с нормально разомкнутым контактом, как показано на схемах рис. 6.1,а - 6.1,в пунктирной линией.

При разомкнутой кнопке SB напряжение в точке КТ1 должно быть в пределах 5 - 15 В, при её замыкании напряжение должно увеличиться до 60 В. При кратковременном замыкании сигнал станции (непрерывный гудок) прекращается, что свидетельствует о приеме АТС посылки набора номера и полной исправности импульсного ключа. Если при замыкании SB напряжение в точке КТ1 не изменилось, или изменилось незначительно, то пробит один из ключевых транзисторов. Если же напряжение в точке КТ1 после замыкания кнопки будет менее 60 В, но не равно номинальному, то шунтирующее воздействие оказывает какой-нибудь другой элемент схемы. Им может быть пробитый защитный стабилитрон на напряжение 100 В, который устанавливается в некоторых телефонах на выходе диодного моста.

Если в Вашем ТА задействован выход разговорного ключа, следует описанную выше проверку провести также и для этого ключа.

При выходе из строя одного из ключевых транзисторов желательно заменить оба на отечественные, как более надёжные.

Транзисторы типа 2N5551 или MPS А-42 можно заменить любым из перечисленных: КТ503Е, КТ604А (В, В), КТ630Б, КТ683В, КТ6117А, КТ698Ж (И, К), КТ940А, КТ969А. Транзисторы 2N5401 или MPS A-92 можно заменить на КТ502Е, КТ505А(Б,В) КТ6116А. КТ6127Ж (И, К), КТ9115А. Справочные данные и цоколёвка транзисторов приведены в главе 9.

Основные неисправности и способы их устранения приведены в таблице 6.1.

Табл. 6.1. Основные	неисправности в ТА и способы их устранения.
Характер	Вероятная	Способ выявления и
неисправности	причина	устранения неисправности
Не набирается	1. Пробит один	Если при попытке набора номера в
номер, гудок не	или оба транзи-	трубке слышны характерные щелчки,
прерывается.	стора в импульс	то пробит один или оба ключевых
	ном ключе.	транзистора импульсного ключа ТА.
	2. Пробит транзи-	Если щелчки при наборе номера не
	стор импульсного	прослушиваются, и напряжение на
	ключа и выход	выходе ИК микросхемы ЭНН равно
	ИК микросхемы	нулю, то это свидетельствует о выходе
	ЭНН.	из строя микросхемы. Но сначала
		необходимо убедиться в исправности
		транзисторов импульсного ключа. Подключите базу первого транзистора
		ИК на землю. Если один из транзи -
		сторов пробит, то напряжение на ли-
		нии изменится незначительно. При
		обоих исправных транзисторах ключ
		закроется полностью и напряжение на
		линии поднимется до 60 В.
	3. Пробит защит	Если разговорный узел при подклю-
	ный стабилитрон.	чении базы первого ключевого тран-
		зистора на землю отключится
		(пропадёт гудок), но при этом напря-
		жение на линии будет менее 60 В, то
		это свидетельствует о пробое защитно-
		го стабилитрона на напряжение 100
		В, устанавливаемого в некоторых те-
		лефонах на выходе диодного моста
		или одного из диодов моста.
	4. Пробит диод	Для проверки диодов моста доста-
	моста.	точно поменять местами клеммы под-
		ключения телефона к линии. Если
		после этого работа ТА восстановится,
		значит имеет место пробой диода.
		Следует отметить, что диоды моста
		выходят из строя крайне редко.
Телефон не рабо	1. Пробит выход	Необходимо проверить напряжение
тает, нет гудка.	ИК микросхемы	на выходе ИК микросхемы ЭЙН и на
	ЭНН.	входе ключевых транзисторов. Если
		напряжение на входе ключевых тран-
		зисторов близко к 60 В, а на выходе
		ИК микросхемы близко к нулю, зна-
		чит транзисторы заперты потенциа-
		лом корпуса, поступающим через про-
		битый выход ИК микросхемы. Убе -
		диться в этом, можно отпаяв выход
		ИК микросхемы или перерезав у вы -
		вода микросхемы дорожку печатной
		платы, ведущую к базе первого тран -
		зистора импульсного ключа.
		Если выход импульсного ключа ИС
		номеронабирателя имеет открытый
		сток, то транзисторы ИК откроются,
		разговорный узел подключится к ли-
		нии, и в трубке появится гудок. Если
		ИС ЭНН имеет логический выход им-
		пульсного ключа, то для открытия ИК
		необходимо подать напряжение на его
		вход с вывода питания (U) ИС ЭНН.

-

	Характер	Вероятная	Способ выявления и
	неисправности	причина	устранения неисправности
		2. Нет контакта в	Если напряжение на входе ключе-
		цепи от клемм	вых транзисторов отсутствует, то не
		подключения те	обходимо проверить цепь от клемм
		лефона к линии.	подключения линии до транзисторов
			импульсного ключа. Особое внимание
			следует обратить на наличие контакта
			в микропереключателя.
	При наборе номе	1. Неисправен	Измерить напряжение на выводе
	ра происходит	фильтрующий	питания микросхемы номеронабира -
	прерывание после	конденсатор схе	теля. Его значение должно быть в
	первого набранно	мы питания ИС.	пределах ±1 В от номинального значе-
	го импульса.		ния. Если при отключении телефона
			от линии напряжение на фильтрую
			щем конденсаторе сразу падает до
			нуля, конденсатор неисправен.
	При наборе номе	1. Обрыв в шлей	Проверить шлейф, соединяющий
	ра набираются не все цифры.	фе, соединяющим плату, на которой	плату, на которой расположена микросхема номеронабирателя с платой
		расположена мик	клавиатуры. Если шлейф исправен и
		росхема номерона	платы не имеют механических повре-
		бирателя с платой	ждений, значит отсутствует замы-
		клавиатуры.	кающий контакт на резинке клавиа-
		2. Неисправна	туры или неисправна микросхема.
		микросхема номе
		ронабирателя.
		3. Отсутствует	Восстановить замыкающий контакт
		замыкающий кон	на резинке клавиатуры, для чего выре-
		такт на резинке	зать контактную площадку из тонкой
		клавиатуры.	фольги и приклеить её клеем типа
			Момент" или двухсторонним скотчем.
	При однократном	1. Загрязнение	Протереть контактные площадки
	нажатии кнопки	контактной пло	клавиатуры чистой ветошью, смочен -
	одной из цифр в	щадки клавиату	ной спиртом и прочистить кисточкой
	линию поступает	ры.	поверхность кнопок на резинке.
	несколько пачек	2. Нарушен замы	Заменить замыкающий контакт на
	импульсов.	кающий контакт	резинке клавиатуры, для чего вырезать
		на резинке кла	контактную площадку из тонкой фоль-
		виатуры.	ги и приклеить её клеем типа
			"Момент" или двухсторонним скотчем.
		3. Напряжение	Проверить напряжение питания мик-
		питания микросхемы номеронабира	росхемы номеронабирателя. Если оно менее 2 В, необходимо увеличить ток
		теля менее 2 В.	источника опорного напряжения ИС
			(встроенного стабилитрона микросхемы
			номеронабирателя) если он есть в дан-
			ной микросхеме (см. табл. 2.1) или ток
			стабилитрона, установленного в схеме
			питания ИС ЭНН (см. раздел 3.3).
	Вас не слышит	1. Неисправен	Если при касании отвёрткой или
	абонент.	микрофон.	пинцетом вывода микрофона (со сторо-
			ны разделительного конденсатора) в
		2.Обрыв цепи	трубке телефона раздаются щелчки, то
		схемы микрофон	микрофон неисправен. В противном
		ного усилителя.	случае проверить цепь прохождения
		3. Отсутствует	сигнала микрофона. У электретного микрофона проверить напряжение пи -
		напряжение пита	тания на положительном выводе. Оно
		ния электретного	должно быть в пределах 1 - 1,6 В.
		микрофона.

-

Характер неисправности	Вероятная причина	Способ выявления и устранения неисправности
Малый уровень сигнала микрофона при значительном уровне собственного шума микрофона.	Отсутствует контакт между общим выводом микрофона и металлическим корпусом микрофона.	Обжать ободок металлического корпуса микрофона в месте соприкосновения с выходом общего вывода микрофона.
В динамической головке слышен фон, усиливающийся при закрывании микрофона рукой.	1. Акустическая связь микрофона и динамической головки. 2. Несбалансированна дифференциальная схема.	Акустическая связь устраняется амортизацией микрофона и динамической головки от корпуса трубки при помощи пористой резины или поролона. Дифференциальная схема балансируется увеличением сопротивления резистора в балансной цепи (например, R3 на рис. 3.36).
Нет вызывного сигнала.	1.Обрыв цепи в схеме приёма индукторного вызова. 2. Вышел из строя транзистор или микросхема мультивибратора вызывного устройства. 3. Неисправен пьезоэлектрический излучатель.	Замкнуть накоротко выключатель схемы вызывного устройства и разделительный конденсатор. При этом должен появиться тональный сигнал пьезоизлучателя. Если сигнала нет, проверить параметры транзистора или микросхемы ВУ, а также исправность пьезоэлектрического излучателя.

6.2. ЗАМЕНА МИКРОСХЕМЫ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ

Вы убедились, что микросхема вышла из строя, и перед Вами встает вопрос "чем ее заменить?". Промышленность стран СНГ производит широкий ассортимент микросхем номеронабирателей. Большинство из них имеют зарубежные аналоги. Их цоколёвки приведены на рис. 2.10 -2.12, а характеристики в табл. 2.7 и 2.8. В большинстве случаев Вы сможете подобрать подходящий аналог для замены вышедшей из стоя микросхемы. Кроме того, многие микросхемы условно взаимозаменяемы, т.е. заменяемы с небольшими доработками.

Возможность такой замены и необходимые изменения приведены в таблице 6.2.

Табл. 6.2. Возможная замена ИС ЭНН при ремонте и необходимые изменения при замене.
Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK60992N Т40992 КР1008ВЖ11	KS6805B LR40993 МК50993 Т40993	1. Поскольку в ИС возможной замены отсутствует внутренний источник опорного напряжения, то необходимо между выводом питания (1) и корпусом (вывод 6) установить стабилитрон с напряжением стабилизации 3 - 4 В (КС133Г, КС139А(Г) и т. п.). 2. Вывод 2 отключить от всех цепей схемы.

Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	3. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	4. Микросхемы возможной замены имеют 16 выводов и в целом, если считать от первого вывода их цоколёвка совпадает с цоколёвкой заменяемых микросхем. Для замены необходимо установить микросхему таким образом, чтобы первый вывод ИС совпадал с контактной площадкой первого вывода выпаянной ИС. 5. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить перемычкой с контактной площадкой вывода 9.
	ЕТ40982 HD970040D KS6804 LR40981A MK6173AN МК50981 TB60981AN	Выполнить пункт 4. 6. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить с плюсом питания микросхемы (вывод 1). 7. Выпаять резистор, подключенный к контактной площадке 7 и конденсатор, подключенный к контактной площадке 8. 8. От контактных площадок 7 и 8 на место выпаянных резистора и конденсатора установить конденсаторы ёмкостью по 100 пФ каждый. Противоположные выводы конденсаторов соединить с корпусной шиной (вывод 6). Между выводами 7 и 8 установить дроссель индуктивностью 1,7 мГн. Вместо дросселя можно использовать кварц частотой 480 кГц.
KS58C05	ЕТ40992 НМ9100А1 KS6805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	Микросхемы, заменяются без каких-либо изменений в схеме. Обратную замену производить нельзя.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункт 3.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14 ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	Выполнить пункты 4 и 5. Выполнить пункт 4,6,7 и 8.

Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
KS6805B LR40993 МК50993 Т40993	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены не будет, выполняться функция звукового подтверждения нажатия кнопок набора номера, которая в микросхемах возможной замены отсутствует.
	FT58C51 KS6861 КР1008ВЖ10	Выполнить пункт 3.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	Выполнить пункты 4 и 5.
	ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК60981 TR50981AN	Выполнить пункт 4,6, 7 и 8.
FT58C51 KS5861 КР1008ВЖ10	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	9. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.
	KS5805B	Выполнить пункты 9, 1 и 2.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	Выполнить пункты 9,4 и 5.
	ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	Выполнить пункты 4,6,7 и 8.
CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	10. Заменяемые микросхемы имеют 16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. Снимите перемычки между контактными площадками 9 и 11 на плате ТА и установите перемычки с контактных площадок 10 и 11 на корпусную шину (вывод 6).
	KS5805B LR40993 МК50993 Т40993	Выполнить пункты 10, 1 и 2.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункты 10 и 3.

Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
	ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	11. Удалить резисторы, подключенные к выводам 7 и 9, и конденсатор,. подключенный к выводу 8. Вывод 9 соединить с плюсом питания ИС (вывод 1). Выполнить пункт 8.
ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	12. Отсоединить контактную площадку вывода 9 заменяемой микросхемы от плюса питания ИС. 13. Удалить конденсаторы и дроссель, подключенные к контактным площадкам 7 и 8. С вывода 7 на место конденсатора установить резистор сопротивлением 2 МОм. С вывода 8 на место второго конденсатора установить конденсатор ёмкостью 390 пф. 14. От вывода 9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением 240 кОм. 15. Общую точку этих трёх элементов отсоединить от корпусной шины.
	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	Заменяемые микросхемы имеют 16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. 16. Отсоединить контактную площадку 11 (вывод 9 заменяемой микросхемы) от плюса питания ИС. Контактные площадки 10 и 11 соединить с корпусной шиной микросхемы (вывод 6). Выполнить пункты 13, 14 и 15.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункты 16 и 13. 17. От вывода 9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением 430 кОм. Выполнить пункт 15.
	KS5805B LR40993 МК50993 Т40993	Выполнить пункты 16, 13, 14 и 15.
KS5853	НМ9100В	18. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.
НМ9100В	KS5853	19. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.

Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
LC7350 М2561АВ UM91611 VT91611 WE9110 STC62660C S26610	UM91610A	20. Отсоединить вывод 15 микросхемы от всех других цепей схемы.
UM91610A	LC7360 М2661АВ UM91611 VT91611 WE9110 STC52660C S25610	21. Соединить вывод 15 микросхемы с корпусной шиной (вывод 10).
КР1008ВЖ1	КР1008ВЖ6 КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ5 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ1 КР1089ВЖ2	22. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в три раза. Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы и соединить с корпусной шиной (вывод 17). Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 15. При замене микросхемы КР1008ВЖ1 на КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 Ваш телефон будет, обладать дополнительной памятью на 10 номеров.
КР1008ВЖ5 КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ5 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ1 КР1089ВЖ2	КР1008ВЖ1	23. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в три раза. Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и соединить с плюсом питания (вывод 3). Вывод 16 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 6. При замене ИС КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 на КР1008ВЖ1 Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.
КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2	КР1008ВЖ6 КР1064ВЖ6 КР1089ВЖ1	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены. Ваш телефон будет обладать дополнительной памятью на 10 номеров.
КР1008ВЖ5 КР1084ВЖ5 КР1089ВЖ1	КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.

Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
НМ9102 HM9110D KS68006 KS6820 KS68C20N UM91210C КР1008ВЖ16	UM91260C КР1091ВЖ1	24. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к выводам 8 и 9 на частоту 480 кГц.
UM91260C КР1091ВЖ1	НМ9102 HM9110D KS68006 KS5820 KS68C20N UM91210C КР1008ВЖ16	25. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к выводам 8 и 9, на частоту 3,58 МГц.

Но что же делать, если Вам так и не удалось найти подходящую микросхему номеронабирателя для замены?

В этом случае Вам поможет универсальная схема, при помощи которой Вы сможете заменить большинство зарубежных ИС ЭНН.

Наибольшее распространение получили ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7. Эти микросхемы выпускаются уже около 10 лет и наиболее доступны. Поэтому рассмотрим возможность замены большинства зарубежных ИС ЭНН именно этими микросхемами.

У всех ИС ЭНН имеются такие выводы, как:

- выводы подключения клавиатуры (Х0, X1, Х2, Y0, Yl, Y2 и Y3);

- вывод питания (U);

- общий вывод (OV);

- вход "отбой" (HS);

- выводы для подключения времязадающих элементов генератора;

- выход импульсного ключа (NSI);

- выход разговорного ключа (NSA).

Различные ИС ЭНН отличаются только логикой работы выходов ИК (NSI) и РК (NSA) и параметрами времязадающих элементов генератора (здесь мы не рассматриваем многофункциональные ИС для телефонов высокого класса). Функционирование по остальным выводам у всех ИС ЭНН одинаково. Во многих зарубежных телефонах выход разговорного ключа микросхемы не задействован. Поэтому если при помощи внешних элементов привести в соответствие выход импульсного ключа микросхемы, то можно заменить неисправную микросхему, подключив соответствующие выводы к контактным площадкам выпаянной микросхемы.

Если сравнивать временные диаграммы выходов разговорного ключа (NSA) (рис. 2.19 - 2.21) ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ6 и КР1008ВЖ7 с другими ИС ЭНН, то нетрудно заметить, что до набора и после набора номера у всех микросхем (кроме CIC9102E, CIC9104E, FT9151-3, UM9151, UM9151-3, WE9102, WE9104 и КР1008ВЖ17) "высокий" уровень. Во время прохождения импульсов набора - "низкий". Следовательно, логика работы выходов разговорного ключа у этих микросхем одинакова. У выходов импульсного ключа (NSI) до набора и после набора номера у микросхем КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 - "низкий" уровень, а у остальных микросхем - "высокий". Это отличие обусловлено тем, что микросхемы КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и

КР1008ВЖ7 предназначены для работы только совместно с разговорным ключом. "Низкий" уровень удерживает ИК ТА в закрытом состоянии и он не может использоваться для коммутации разговорного узла, как в схеме на рис. 1.15. Импульсы набора все микросхемы номеронабирателей формируют "низкого" уровня, т. е. "низкий" уровень выхода микросхемы во время набора номера размыкает линию, а "высокий" - замыкает.

Для замены импортной ИС на КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 или КР1008ВЖ7 необходимо при помощи дополнительных элементов привести в соответствие временные параметры сигналов, формируемых на выходах ИК и РК, заменяемой и заменяющей микросхем. Кроме того, в зависимости от типа выхода ИК (логический или с открытым стоком) заменяемой микросхемы необходимо обеспечить его согласование со входом импульсного ключа ТА.

Временные параметры приводятся в соответствие посредством двух диодов, включаемых с выходов ИК (NSI) и РК (NSA2) микросхемы КР1008ВЖ1 по схеме "ИЛИ", как показано на рис. 6.2. В результате, на выходе (в точке соединения диодов VD1 и VD2), формируется сигнал с временными параметрами, соответствующими параметрам выходных сигналов ИК импортных микросхем.

Эту схему можно применять для замены микросхем номеронабирателя с логическим выходом импульсного ключа, так как в точке соединения диодов VD1 и VD2 формируется сигнал с уровнем, соответствующим логическому выходу ИС КР1008ВЖ1. В схеме, при необходимости, можно задействовать выход разговорного ключа (NSA) (вывод 18).

Аналогичная схема на ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 приведена на рис. 6.3.

На рис. 6.4 приведена схема замены импортной ИС с открытым стоком выхода ИК. Диоды VD1 и VD2 формируют соответствующую импульсную последовательность, а транзисторы VT1 и VT2, образуя выход с открытым коллектором, моделируют выход ИК ИС с открытым стоком.

Выводы микросхемы Х0, X1, Х2, Y0, Yl, Y2. Y3, 0V, U, HS и NSI подключаются на соответствующие контактные площадки заменяемой ИС. Вывод SB подключается к выводу микропереключателя со стороны транзисторов импульсного ключа (точка КТ1 на рис. 6.1).

Для замены импортной микросхемы на отечественную КР1008ВЖ1 можно изготовить переходную плату, разместив на ней необходимые дополнительные элементы. На рис. 6.5 показав чертеж переходной платы для схемы, приведенной на рис. 6.4. Форма и размеры переходной платы выбраны с учётом размещения её в телефон-трубке между основной платой и динамической головкой.

Контактные площадки переходной платы (в рамке на рис. 6.5) и-контактные площадки заменяемой ИС на основной плате телефона соединяются между

собой жгутом из тонких проводов. Схемы соединения контактных площадок переходной платы с контактными площадками основной платы, из которой выпаяна ИС ЭНН, для различных типов ИС различны и приведены в таблице 6.3. В ячейках таблицы показаны номера выводов контактных площадок заменяемой микросхемы на основной плате телефона. Расположение самих ячеек соответствует расположению контактных площадок на переходной плате. Например, для микросхемы KS5805A

контактную площадку Y0, которая расположена рядом с выводом 22 ИС КР1008ВЖ1, необходимо соединить с контактной площадкой от вывода 16 микросхемы KS5805A на основной плате.

Для того чтобы в телефоне работал повтор последнего набранного номера, необходимо внести изменения на плате наборного поля. Нужно разорвать дорожку, которая идет от контактной площадки Х2 к кнопке "#", и соединить разорванный конец дорожки от этой кнопки к контактной площадке Х0. В телефонах-трубках, если принять контактную площадку, расположенную ближе к динамической головке за первую, то контактная площадка Х0 - третья, а Х2 - седьмая.

Если все соединения сделаны правильно, а номер не набирается, следует проверить напряжение на стабилитроне переходной платы. При пониженном его значении (менее 2,0 В) необходимо увеличить ток через стабилитрон при помощи резистора в цепи питания микросхемы (раздел 3.3). При замене микросхем CIC9102E, CIC9104E, KS5805B, LR40993, МК50993, Т40983, UM9151, UM9151-3, WE9102 и WE9104 стабилитрон VD1 может не понадобится, так как он должен иметься на основной плате телефона.

Табл. 6.3. Соответствие контактных площадок переходной платы с контактными площадками заменяемой микросхемы.

Соответствие контактных площадок переходной платы контактным
площадкам заменяемой микросхемы:
ЕТ40992			CIC9192BE			НМ9100В			CIC9104E			CIC9102E
НМ9100А1			ЕТ40982			KS5853			UM9151-3			UM9151
KS6805A			HD970040D						WE9104			WE9102
KS6805B			KS5804
KS58C05			LR40981A
KS5851			MK5173AN
LR40992			МК50981
LR40993			TR50981AN
MK50992N			WE9192B
МК50993
T40992
Т40993
4	5	16	4	5	14	3	4	14	15	16	1	16	17	18
3	18	17	3	16	15	2	16	15	14	9	11	15	9	12
6	1	13	6	1	11	5	1	11	12	5	4	10	5	4
SB	15	14	SB	13	12	SB	13	12	SB	2	3	SB	2	3

Второй вариант замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК показан на рис. 6.6. В этом случае необходимо добавить ключ на полевом n-канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным затвором КР1014КТ1А,(В), подключив его параллельно выходу диодного моста. Особенность схемы состоит в том, что импульсный ключ ТА используется как разговорный ключ, а набор номера осуществляется токовым ключом на КР1014КТ1А,(В). Если в ТА присутствует разговорный ключ, то вывод 18 ИС КР1008ВЖ5,(7) необходимо подключить на него, а импульсный ключ ТА отключить (вместо него будет работать токовый ключ на КР1014КТ1А,(В).

Импульсы, управляющие работой ключа, подаются на затвор токового ключа с выхода ИК ИС и полностью соответствуют требованиям технических условий для отечественных телефонных сетей, так как ИС КР1014КТ1А,(В) в режиме насыщения имеет сопротивление менее 50 Ом.