4.12. О включении ЗП

Для того, чтобы обратить внимание на какое-то особое состояние электронного устройства, в него вводят, как правило, тональный

Рис. 112. Парафазное возбуждение ЗП

генератор с пьезоизлучателем типа ЗП на выходе. Но при обычном включении пьезоизлучателя - между нулевой шиной и выходом тонального генератора — громкость его звучания редко бывает достаточной, особенно - в низковольтной аппаратуре.

На рис. 112 приведена схема звукового генератора с парафазньш возбуждением ЗП, при котором мощность акустического сигнала увеличивается вчетверо.

Частота генератора f@0,5·10^6/ (R1+R2)C1 (R - в кОм, С1 - в нФ, f - в Гц) регулировкой резистора R2 может быть выведена на fрез - частоту механического резонанса пьезоизлучателя, что также заметно скажется на громкости его звучания.

Собранный на логических элементах КМОП-микросхем серий К 176, К561, 564 и др., генератор может быть настроен в резонанс практически с любым пьезоизлучателем. Он быстро возбуждается, формируя, при необходимости, и 3...5-миллисекундные «щелчки».

Ток, потребляемый генератором в паузе (на входе - 0), составляет доли микроампера, при возбуждении (на входе - 1) - 1...2 мА.

Отдача ЗП заметно увеличится, если он будет отделен от возбудителя буферными элементами. Это связано с улучшением условий возбуждения генератора, уменьшением длительности его фронтов. В качестве буферных могут быть использованы свободные элементы той же микросхемы, но лучше взять КМОП-элементы с низкоомными каналами, например, инверторы микросхемы К561ЛН2 (рис. 113). Генератор с еще более низкоомным выходом можно построить так, как показано на рис. 114.

Мощность сигнала, излучаемого ЗП, возрастет еще, если последовательно с ним включить катушку индуктивности L1 (на рис. 113 и 114 показана пунктиром).

Рис. 113. Генератор с буферными элементами

Рис. 114. Генератор повышенной мощности

Если L1 выбрать так, чтобы на частоте механического резонанса возник и электрический резонанс (по электрическим характеристикам ЗП близок к конденсатору емкостью 30...100 нФ), т.е. взять L1@2,5·10^10 / (fрез^2)·Cзп где: L1 - в мГн; Сзп - емкость ЗП - в нФ, fрез - в Гц, то напряжение на ЗП может Значительно превысить напряжение питания микросхем с соответствующим увеличением излучаемой им мощности Рвых (Рвых пропорциональна квадрату напряжения, прилаженного к ЗП). Этот эффект будет особенно заметен в генераторах, имеющих малое выходное сопротивление, поскольку оно входит в последовательный L1Cзп - контур и, наряду с потерями на излучение, определяет его добротность.